КП303Г9


Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа

Купить КП303Г9 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
КП303Г9  Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные...

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И, КП303Д, КП303Е и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В, КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы 2П303Г, КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КП303Г:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 12 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: 5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 3... 7 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ

Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
КН102Г Динистор 10В, 2А     70 75.60 
КН102Г Динистор 10В, 2А   ТОМИЛИНО Заказ радиодеталей цена радиодетали
КН102Ж Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный     13 185.98 
КН102Ж Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный   ТОМИЛИНО Заказ радиодеталей цена радиодетали
  КП303Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...     Заказ радиодеталей 52.80 
  КП303Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...   ФОТОН Заказ радиодеталей цена радиодетали
  КП303Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...   АЛЕКСАНДРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  КП303Ж Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...     941 117.18 
  КП303Ж Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...   ФОТОН 35 700 21.00 
  КП303Ж Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...   АЛЕКСАНДРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  КТ117Г     КРИСТАЛЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  КТ117Г       96 92.00 
  КТ117Г     УЛЬЯНОВСК 443 260.40 
  КТ117Г     RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  КТ117Г     КАЛУГА Заказ радиодеталей цена радиодетали
  КТ117Г     ФОТОН Заказ радиодеталей цена радиодетали
  КТ117Г     УРЛЗ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход