SAF-C509-LM
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805-10K 5% |
|
ЧИП — резистор 10кОм, 5%, 0805 |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
|||
 |
 |
0805-4.70K 5% |
|
ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 4.7кОм, 5%, 0,125Вт |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
||
| ISL9V3040D3ST-SB82253 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
 |
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|
|
| TLE5216G | INTINEON |
|
|
|||||
| TLE5216G | SIEMENS |
|
|
|||||
| TLE5216G |
|
|
||||||
| TLE5216G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 577 |
|
