TLE5216G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TLE5216G (4-7 НЕДЕЛЬ)	577	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CC1206KKX7R0BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	YAGEO	287 034	1.14 >100 шт. 0.57
CC1206KKX7R0BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В
CC1206KKX7R0BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC1206KKX7R0BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC1206KKX7R0BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В	YAGEO
CRCW060310K2FKEA		VISHAY
CRCW060310K2FKEA
CRCW060310K2FKEA		VISHAY
CRCW060310K2FKEA		Vishay/Dale
CRCW060310K2FKEA		VIS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	4	39.86
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А			107.60
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	3 896	22.91
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	5
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
КД 212 А		RUS
КД 212 А