|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
SN74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
|
22
|
22.20
|
|
|
|
SN74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
Texas Instruments
|
3 520
|
17.56
|
|
|
|
SN74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
SN74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
32
|
|
|
|
|
SN74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
220
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 664
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
21 655
|
1.61
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
18 155
|
3.98
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
362 270
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
38 125
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.69
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
4 918
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
121 448
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
62 400
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
186 579
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
PIC18F242-I/SP |
|
8Kx16 Flash 23I/O 40MHz
|
|
12
|
314.50
|
|
|
|
PIC18F242-I/SP |
|
8Kx16 Flash 23I/O 40MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC18F242-I/SP |
|
8Kx16 Flash 23I/O 40MHz
|
MICRO CHIP
|
11
|
|
|
|
|
PIC18F242-I/SP |
|
8Kx16 Flash 23I/O 40MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC18F242-I/SP |
|
8Kx16 Flash 23I/O 40MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
488
|
|
|
|
|
SA15-11SRWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 38,1mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...
|
KB
|
|
|
|
|
|
SA15-11SRWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 38,1mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
SA15-11SRWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 38,1mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...
|
KGB
|
|
|
|
|
|
SA15-11SRWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 38,1mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...
|
|
|
173.52
|
|
|
|
SA15-11SRWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 38,1mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SA15-11SRWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 38,1mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SA15-11SRWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 38,1mm, красный суперяркий (640 нм), белый сегмент ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
|
|
26.12
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
21 421
|
16.80
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
276
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
745
|
|
|