Версия для печати
Технические характеристики GRM2165C2A471JA01D

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Температурный коэфициент	C0G
Допуск емкости	±5%
Номинальное постоянное напряжение	100 В
Тип диэлектрика	C0G
Номинальное напряжение	100 В
Рабочая температура	-55...125 °C
	Tin Plated Layer
Размер	2.0x1.2x0.6
Емкость	470 пФ
Серия	GRM
Корпус (размер)	0805
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Thickness	0.028" (0.70mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ST MICROELECTRONICS
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz			10.00
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	STMICROELECTRONICS
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ON Semiconductor
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ST1
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	ST MICROELECTRO
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	NXP
		BD135		Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz	JSCJ
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W		528	65.84
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIR
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERSIL
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	SAMSUNG
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	VISHAY	2	591.94
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIRCHILD
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIRCHILD
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERSIL
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	SAMSUNG
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	Vishay/Siliconix
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	КИТАЙ
		IRFP9240		Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А		360	134.49
		К73-17-100-0.1 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В			8.48
		К73-17-100-0.1 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В	SUNTAN
		К73-17-100-0.1 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В	КИТАЙ
		К73-17-100-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 100 В			9.28
		К73-17-100-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 100 В	SUNTAN
		К73-17-100-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 100 В	КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"