|
Версия для печати
| Производитель | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| Температурный коэфициент | X7R |
| Допуск емкости | ±10% |
| Номинальное постоянное напряжение | 16 В |
| Тип диэлектрика | X7R |
| Номинальное напряжение | 16 В |
| Рабочая температура | -55...125 °C |
| Tin Plated Layer | |
| Размер | 1.0x0.5x0.5 |
| Емкость | 1000 пФ |
| Серия | GRM |
| Корпус (размер) | 0402 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Допустимые отклонения емкости | ±10% |
| Tolerance | ±10% |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Сфера применения | General Purpose |
| Size / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Thickness | 0.022" (0.55mm) |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC110N06NS3G | INFINEON |
|
|
|||||
| BSC110N06NS3G | INFINEON |
|
|
|||||
| BSC110N06NS3G |
|
|
||||||
|
|
GR443QR73D222KW01L |
|
Murata Electronics North America |
|
|
|||
|
|
GR443QR73D222KW01L |
|
|
|
||||
|
|
GR443QR73D222KW01L |
|
MUR | 3 252 | 16.73 | |||
|
|
GR443QR73D222KW01L |
|
MURATA | 37 | 42.36 | |||
| RC0603FR-073K09 | YAGEO |
|
|
|||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | 340 | 195.25 | ||||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | Microchip Technology |
|
|
|||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | MICRO CHIP | 320 | 206.64 | |||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | SILICON STORAGE TECHNOLOGY |
|
|
|||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | 4-7 НЕДЕЛЬ | 639 |
|
|||||
| XC3S50A-4VQG100I | XILINX |
|
|
|||||
| XC3S50A-4VQG100I | Xilinx Inc |
|
|
|||||
| XC3S50A-4VQG100I |
|
|
||||||
| XC3S50A-4VQG100I | XILINX |
|
|
|||||
| XC3S50A-4VQG100I | 4-7 НЕДЕЛЬ | 121 |
|