МЛТ-1-20 КОМ 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECA35В-1000МКФ		HITANO
PC817A	Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%	SHARP
PC817A	Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%		960	2.44
PC817A	Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%	КИТАЙ
PC817A	Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%	FAIRCHILD
PC817A	Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%	4-7 НЕДЕЛЬ	656
STRG6351	SMPS сх. упpавления, MOSFET	SANKEN
STRG6351	SMPS сх. упpавления, MOSFET	SK
STRG6351	SMPS сх. упpавления, MOSFET			143.16
STRG6351	SMPS сх. упpавления, MOSFET	ТАИЛАНД
STRG6351	SMPS сх. упpавления, MOSFET	4-7 НЕДЕЛЬ	480
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			14.40
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 211	37.80
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	42.36
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
МЛТ-1-1 КОМ 5%