UF5402 (3А 200В)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007 (1A 1000V)
27000 КГЦ 20PPM		TIC
27000 КГЦ 20PPM
KBPC5010 50А 1000В (MB5010)	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	179	11.16
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	825	27.33
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	13 898	6.00
LM358D	Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ