| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
472
|
85.64
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
|
4
|
264.60
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
PMC
|
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
1 784
|
37.48
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
10 662
|
31.80
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
4
|
169.60
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
|
3 448
|
5.15
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
КРЕМНИЙ
|
932
|
11.71
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
МИНСК
|
1 600
|
14.84
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
1 648
|
8.48
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
БРЯНСК
|
4 840
|
12.72
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
10
|
7.80
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
2000
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
235
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
5835
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
920
|
|
|
|
|
|
|
КТ630Е |
|
|
|
240
|
174.80
|
|
|
|
|
КТ630Е |
|
|
КРЕМНИЙ
|
40
|
460.67
|
|
|
|
|
КТ630Е |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ630Е |
|
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
1 085.31
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
|
18
|
340.20
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
8
|
527.04
|
|
Версия для печати
