Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		140УД1А			ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
		140УД1А				29	814.00
		140УД1А			КВАЗАР	8	636.00
		140УД1А			РОДОН
		140УД1А			КОНТИНЕНТ
		140УД1А			ВОСХОД
		140УД1А			ГРАВИТОН
		140УД1А			РИГА
		140УД1А			ЭКСПОРТ
		140УД1А			КАЛУГА
		140УД1А			1
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А		2 732	4.68
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВ	152	6.36
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	RUS
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВСКИЙ ЗПП	880	12.40
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	191
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 984	33.30
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 672	38.16
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290
		МЛТ-1-330 ОМ 5%
		П307В					140.00
		П307В			ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		П307В			ВОРОНЕЖ
		П307В			ВЗПП	93	426.80

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"