LQH32MN101I-100 МКГН 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BARONS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BI TECHNOLOGIES
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``			56.00
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	Bourns Inc
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	КИТАЙ
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOCHEN	1 534	25.34
CM322522-470KL	ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц	BOURNS	11 276	16.92
CM322522-470KL	ЧИП индуктивность 47мкГн, 1210, 7Ом, 10%, 15МГц
LQH43MN8R2K03L	SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812	MURATA
LQH43MN8R2K03L	SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812	MUR	71	71.35
LQH43MN8R2K03L	SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812
LQH43MN8R2K03L	SMD индуктивность 8,2мкГн +/-10%, Imax=0,225 A 1812	MURATA
КСО-5Г-500В-2700 ПФ 10%
КСО-5Г-500В-3300ПФ