LQH32MN101I-100 МКГН 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BARONS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BI TECHNOLOGIES
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``			56.00
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	Bourns Inc
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	КИТАЙ
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOCHEN	3 803	15.95
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП	MURATA
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП			17.00
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП	Murata Electronics North America
BL01RN1A1D2B	индуктивность для подавления ЭМП	MUR
КСО-5Г-500В-1100ПФ
КСОТ-1Г-250В-430 ПФ 5%
КСОТ-1Г-250В-510 ПФ 10%