| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
XINYA
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
NXU
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
XINLAIYA
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS
|
80
|
85.11
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
|
1 624
|
24.81
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
WEEN
|
818
|
40.82
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
1
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
КИТАЙ
|
800
|
21.08
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
США
|
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
|
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
27
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
ADI
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
|
3
|
277.50
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
RUS
|
|
|
|