| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD7820LR |
|
Микросхема АЦП
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD7820LR |
|
Микросхема АЦП
|
|
|
632.00
|
|
|
|
AD7820LR |
|
Микросхема АЦП
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD7820LR |
|
Микросхема АЦП
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
429
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 673
|
2.12
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
220
|
1.37
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
7 400
|
1.48
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.13
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
8
|
3.14
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
32 398
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
5 960
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.06
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
136 807
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
57 698
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
6 882
|
1.15
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
43 139
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
50 724
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
14
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
6500
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
76 800
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
48 000
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
67 200
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NXP
|
56
|
6.36
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
|
23 593
|
3.75
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
-
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
ГОНКОНГ
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
КИТАЙ
|
1 520
|
5.30
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
HOTTECH
|
9 937
|
4.13
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
DIOTEC
|
468
|
6.27
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
YJ
|
81 104
|
3.17
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
JSCJ
|
17 299
|
2.68
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KOME
|
1 028
|
4.27
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
XSEMI
|
7 800
|
2.81
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KEXIN
|
8 614
|
2.19
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
RUME
|
4 000
|
1.78
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
95
|
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
4021
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
|
16
|
94.72
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
HGSEMI
|
1 112
|
18.38
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
396
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
YAGEO
|
467 428
|
0.60
>1000 шт. 0.12
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
|
|
2.96
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
YAGEO
|
162 962
|
|
|