|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
|
3
|
79.55
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
528
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
|
4
|
128.52
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS
|
1 731
|
34.56
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
1
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
149
|
|
|
|
|
OP275GS |
|
Сдвоенный операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, -40°C- +85°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP275GS |
|
Сдвоенный операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, -40°C- +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP275GS |
|
Сдвоенный операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, -40°C- +85°C
|
|
|
163.44
|
|
|
|
OP275GS |
|
Сдвоенный операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, -40°C- +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP275GS |
|
Сдвоенный операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, -40°C- +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
OP275GS |
|
Сдвоенный операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, -40°C- +85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
405
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
|
|
57.60
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
ФОТОН
|
15 690
|
25.20
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
ЭЛЕКС
|
532
|
117.18
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
|
|
52.80
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|