BSS192
Транзистор N-канальный (240В, SOT89)
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 200mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 90pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-243AA |
| Корпус | SOT-89 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSS192 SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
Производитель:
|
