STE110NS20FD

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STE110NS20FD		22 240.00

Версия для печати

Технические характеристики STE110NS20FD

Серия	MESH OVERLAY™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 50A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	110A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	504nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7900pF @ 25V
Power - Max	500W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	ISOTOP
Корпус	ISOTOP®

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STE110NS20FD (MOSFET)

N-channel 200V - 0.022? - 110A - ISOTOP MESH OVERLAY™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STE110NS20FD datasheet
245.4 Кб