Версия для печати
Технические характеристики Si4126DY

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.75 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	39A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	105nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4405pF @ 15V
Power - Max	7.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

Si4126DY (MOSFET) N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Производитель: Vishay Si4126DY datasheet 135.9 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		1 024	758.50
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК	2	1 272.00
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 390
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	NXP
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	VISHAY
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)			32.56
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	PHILIPS
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	EIC
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	КИТАЙ
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	PH / NXP
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	LGE	11 581	1.77
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	SEMTECH
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	PH/NXP	32	30.01
		BYV26C		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, If=10A, Vf=1.3V@I=1A, t=30ns, -65 to +175C)	LUGUANG	5 976	1.51
		IRFI1010N		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFI1010N		Транзистор полевой			122.88
		IRFI1010N		Транзистор полевой	INFINEON
		IRFI1010N		Транзистор полевой	IR/VISHAY	4	51.66
		IRLL2705PBF		Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLL2705PBF		Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R	INTERNATIONAL RECTIFIER	26
		IRLL2705PBF		Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R	INFINEON
		IRLL2705PBF		Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R
		MMFT3055ELT1			MOTOROLA

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"