IRF8788PbF

Версия для печати

Технические характеристики IRF8788PbF

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 24A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	66nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5720pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF8788PbF (MOSFET)

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF8788PbF datasheet
227.9 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAT64-04W		INFINEON	157	16.80
BAT64-04W
IRFP22N60K	N-MOS 600V, 22A, 370W	VISHAY
IRFP22N60K	N-MOS 600V, 22A, 370W
LT1963AEQ		LINEAR TECHNOLOGY
LT1963AEQ		LT	511	588.00
LT1963AEQ				760.00
LT1963AEQ		LINEAR TECHNOLOGY
LT1963AEQ		LTC
LT1963AEQ		AD-LTC
LT1963AEQ		LINEAR
LT1963AEQ		4-7 НЕДЕЛЬ	324
NES-350-27		MW
NES-350-27		MEANWELL
NES-350-27
NES-350-27		MEAN WELL
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRONICS	14 864	74.27
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).		2 467	64.73
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRONICS SEMI
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	STMicroelectronics
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	КИТАЙ
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRO
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	STMICROELECTR
ST1S10PHR	Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	4-7 НЕДЕЛЬ	273