|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 74nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRL540NS (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7342PBF |
|
Транзистор 2xP-Ch 55V 3,4A 2,0W 0,105R | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||
| IRF7342PBF |
|
Транзистор 2xP-Ch 55V 3,4A 2,0W 0,105R |
|
83.20 | ||||
| IRF7342PBF |
|
Транзистор 2xP-Ch 55V 3,4A 2,0W 0,105R | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||
| IRF7342PBF |
|
Транзистор 2xP-Ch 55V 3,4A 2,0W 0,105R | INFINEON |
|
|
|||
|
|
|
IRF7822 |
|
Транзистор полевой SMD | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7822 |
|
Транзистор полевой SMD |
|
75.96 | ||
|
|
|
IRL540NL |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLR120N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLR120N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 40 | 58.24 | ||
|
|
|
IRLR120N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INFINEON |
|
|
|
| ТСО142-40-7 | 9 | 612.93 |