IRG4BC20KD
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 9A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16A |
| Power - Max | 60W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4BC20KD-S (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-30.0K 1% |
|
ЧИП — резистор |
|
1.24 | ||||
| 0805-390 1% |
|
ЧИП — резистор |
|
1.08 >500 шт. 0.36 |
||||
 |
 |
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | 7 | 211.68 | ||
|
|
|
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | 1 |
|
|
|
|
|
|
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | 4-7 НЕДЕЛЬ | 154 |
|
|
| RC0805JR-0722RL | YAGEO | 509 867 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| RC0805JR-0722RL |
|
|
||||||
| RC0805JR-0722RL | YAGEO | 5 160 |
|
|||||
 |
RC0805JR-078R2 |
|
Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 8.2 | YAGEO |
|
|
||
|
|
RC0805JR-078R2 |
|
Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 8.2 | YAGEO |
|
|
