Версия для печати
Технические характеристики IRF9Z24N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 7.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRF9Z24NS (P-канальные транзисторные модули) 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF9Z24NS Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF9Z24N datasheet 170.11Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FGH40N60UFDTU		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
		FGH40N60UFDTU		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60UFDTU		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FSC
		FGH40N60UFDTU		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIR
		FGH40N60UFDTU		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
		FGH40N60UFDTU		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
		FGH40N60UFDTU		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONSEMICONDUCTOR
		FGH40N60UFDTU		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS	73	413.28
		FGH40N60UFDTU		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS-FAIR	885	406.59
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	160.06
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	267.12
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	4-7 НЕДЕЛЬ	735
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	57.78
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	PHILIPS
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W		12	55.80
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	PHILIPS
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	МЕКСИКА
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	INFINEON
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	1
		KA2S0680			FAIR
		KA2S0680			SAMSUNG	52	199.10
		KA2S0680			SEC
		KA2S0680					176.00
		KA2S0680			SAM
		KA2S0680			NO TRADEMARK
		KA2S0680			4-7 НЕДЕЛЬ	651
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	120	53.88
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8		9	55.80
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"