IRF1310NS
Транзистор полевой SMD
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 22A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF1310NS (N-канальные транзисторные модули) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF1310NS
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFR2607Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFR2607Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
|
||
|
|
|
IRFR2607Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|
|
|
| J505 | SILICONIX |
|
|
|||||
| J505 |
|
176.40 | ||||||
| J505 |
|
176.40 | ||||||
| SMAJ550/61 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SMAJ550/61 | GENERAL SEMICONDUCTOR | 394 |
|
|||||
 |
|
STP80NF70 |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
STP80NF70 |
|
ST MICROELECTRONICS SEMI | 4 |
|
||
|
|
|
STP80NF70 |
|
1 | 267.12 | |||
|
|
|
STP80NF70 |
|
ST MICROELECTRONICS | 108 | 72.81 | ||
 |
VS-36MB120A |
|
1 фазн мост 1200В 35А D34A | VISHAY | 144 | 816.23 | ||
|
|
VS-36MB120A |
|
1 фазн мост 1200В 35А D34A | VISHAY/IR |
|
|
||
|
|
VS-36MB120A |
|
1 фазн мост 1200В 35А D34A |
|
|
