Версия для печати
Технические характеристики HEF4081BT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	4000B
Логический тип	AND Gate
Число входов	2
Число каналов	4
Ток выходной макс., мин.	4.2mA, 4.2mA
Напряжение питания	3 V ~ 15 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	14-SOIC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Вентили, инверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SJ352		Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)	HITACHI
		2SJ352		Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)	HITACHI SEMICONDUCTOR
		2SJ352		Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)			491.16
		2SJ352		Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)	RENESAS
		2SK2221		Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)	HITACHI
		2SK2221		Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)	HIT
		2SK2221		Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)			478.76
		HEF4069UBT			NXP
		HEF4069UBT			PHILIPS
		HEF4069UBT				11	47.88
		HEF4069UBT			PHILIPS	257
		HEF4069UBT			NXP	157
		HEF4069UBT			NEXPERIA
		HEF4069UBT			PHI
		HEF4069UBT			PH / NXP
		HEF4069UBT			0.00
		HEF4069UBT			4-7 НЕДЕЛЬ	424
		LF412CDR2			ON SEMICONDUCTOR
		LF412CDR2			ON SEMICONDUCTOR
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	TEXAS INSTRUMENTS	3 920	12.40
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	NEC
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный			24.80
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	TEXAS
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	4-7 НЕДЕЛЬ	794

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"