|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK1358 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 9A, 150W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK1358 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 9A, 150W
|
|
|
277.20
|
|
|
|
2SK1358 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 9A, 150W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SK1358 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 9A, 150W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
309
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
2 298
|
27.06
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
|
|
300.00
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
JSMICRO
|
1 576
|
86.88
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
JOYIN
|
|
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
|
|
11.48
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 000
|
18.60
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
|
|
28.00
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
375
|
|
|