2SA1962

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SA1962		143.44

2SA1962R - h_FE1 = 55 ~ 110
2SA1962O - h_FE1= 80 ~ 160

Версия для печати

Технические характеристики 2SA1962

Корпус	TO-3P(N)
Корпус (размер)	2-16C1A (TO-247 N)
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	30MHz
Power - Max	130W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 1A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 800mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	230V
Current - Collector (Ic) (Max)	15A
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SA1962 (Биполярные PNP транзисторы)

Биполярный транзистор Si-P, 230/230V, 15A, 130W, 25MHz

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SA1962 datasheet
478,22kB
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOSHIBA
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...		633	21.23
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOS
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	СИНГАПУР
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	ISC	793	130.17
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	JSMICRO	1 234	15.77
2SC5242		TOSHIBA
2SC5242		TOS
2SC5242				145.36
2SC5242		ISCSEMI
MF-0.25-47K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.25-47K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		4	2.84
MF-0.25-6.8K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.25-6.8K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			1.68 >100 шт. 0.84
К40У-9-200В-0,01 МКФ-10%