Версия для печати
Технические характеристики 2N4923

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 100mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 500mA, 1V
Power - Max	30W
Frequency - Transition	3MHz
Корпус	TO225AA

2N4923 Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com 2N4923 datasheet 110.32Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	ST MICROELECTRONICS
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	STMicroelectronics
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		3 364	13.13
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	105	16.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	877	4.04
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	24 880	6.14
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	376	3.00
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz			29.56
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR	9
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	STMicroelectronics
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	CDIL
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRO
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	HOTTECH	1 052	9.58
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	JSCJ	2 437	6.05

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3904G		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904G		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...			8.80
		2N3904G		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS
		2N3904G		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2SB1109		PNP 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SD1609)	HITACHI
		2SB1109		PNP 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SD1609)
		2SB1109		PNP 160V, 0.1A, 1.25W, 140MHz (Comp. 2SD1609)	HIT
		2SC1815Y		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SC1815Y		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz			6.80
		2SC1815Y		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	UTC
		2SC1815Y		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOS
		2SC1815Y		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	PMC
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		3 889	18.90
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	584	14.84
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	МИНСК	7 144	16.80
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ТРАНЗИСТОР
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	4 280	16.80
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ	51	12.49
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	2480
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	3
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	400
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	4356
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	595
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	6447
		КТ6116А				801	12.49
		КТ6116А			МИНСК
		КТ6116А			ИНТЕГРАЛ	8	12.49

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"