| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
NXP
|
1 372
|
35.80
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
PHILIPS
|
80
|
59.34
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
TOBE
|
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
|
1 701
|
16.39
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
PHILIPS
|
130
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
WEIDA
|
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
1682
|
|
|
|
|
|
|
CA016M0470REG-1010 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 16 В, +-20%
|
YAGEO
|
3
|
8.13
|
|
|
|
|
CA016M0470REG-1010 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 16 В, +-20%
|
|
|
|
|
|
|
|
CA016M0470REG-1010 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 16 В, +-20%
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CA016M0470REG-1010 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 16 В, +-20%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/35V 1320 SK |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 35 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
380
|
11.34
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
28 481
|
2.95
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
774
|
2.43
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
2 856
|
2.31
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
RUME
|
8 000
|
1.26
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
2694
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
2692
|
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
|
39
|
307.44
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
КВАРЦ
|
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
КВАРЦ.ЧЕРНОВЦЫ
|
41
|
196.31
|
|
Версия для печати
