Версия для печати
Технические характеристики TOP233P

Корпус	DIP-8B
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Мощность (Ватт)	25W
Напряжение выходное	700V
Частотный диапозон	66 ~ 132kHz
Изоляция выхода	Isolated
Серия	TOPSwitch®-FX
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	4 591	6.90
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		965	2.96
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	40 787	5.34
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	24.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 264	8.27
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	399	4.54
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	41 662	3.00
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 280	4.83
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	3.10
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	77	11.06
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	21 867	1.80
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	6 000	2.03
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	45 600	2.19
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	28 536	2.39
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.69
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KEEN SIDE	80	2.86
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	8560
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAI/QTC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FSC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)		80 396	2.72
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GALAXY
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES INC.	406
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD	23
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	EIC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Fairchild Semiconductor
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Diodes Inc
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Vishay/Semiconductors
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	КИТАЙ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YJ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SEP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	16 000
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS-FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	HOTTECH	46 264	5.92
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MULTICOMP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGJIE (YJ)
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MASTER INSTRUMENT CO	3 812	11.40
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LGE	6 499	6.20
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ASEMI	1 416	2.73
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNTAN	1 446	3.12
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	TRR	4 800	2.44
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGZHOU YANGJIE
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNCO	1 087	5.60
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	KEEN SIDE
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MERRYELC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	4469
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	4	22.48
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		796	82.80
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	3 743	29.09
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	5
		KBU6K		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C	FAIR
		KBU6K		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C	DC COMPONENTS	1 012	66.33
		KBU6K		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C	DIOTEC
		KBU6K		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C		59	53.65
		KBU6K		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C	FAIRCHILD
		KBU6K		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C	FAIRCHILD	51
		KBU6K		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C	Fairchild Semiconductor
		KBU6K		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBU6K		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C	CTK
		KBU6K		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C	KEEN SIDE	151	12.06
		LM4818M		Усилитель мощности аудио 350мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM4818M		Усилитель мощности аудио 350мВт	NSC
		LM4818M		Усилитель мощности аудио 350мВт			52.52
		LM4818M		Усилитель мощности аудио 350мВт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM4818M		Усилитель мощности аудио 350мВт	4-7 НЕДЕЛЬ	785

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"