Версия для печати
Технические характеристики IR2184

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Число выходов	2
Число конфигураций	1
Ток пиковое значение	1.9A
Время задержки	680ns
Тип входа	Non-Inverting
Конфигурация	Half Bridge
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

IR2184 (Дискретные сигналы) HALF-BRIDGE DRIVER Также в этом файле: IR21844, IR21844S, IR2184S Производитель: International Rectifier //www.irf.com IR2184 datasheet 184.49Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A		559	5.55
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MIC	2 551	1.82
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	56
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.	44
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MOTOROLA	53
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	OTHER	114
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	PHILIPS	70
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS SEMI	136
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ ELECTRONIC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ	20 639	2.77
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ON SEMICONDUCTOR	22
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	16 441	3.18
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MCC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	BL	3 780	3.18
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JF
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	КИТАЙ
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	KINGTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS-FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MASTER INSTRUMENT	52	10.93
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY ME
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	HOTTECH
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE (YJ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SUNTAN	1	1.38  >100 шт.   0.69
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JY	261	4.50
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GEMBIRD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MD	397	3.18
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ASEMI
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	1
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	LGE	1 108	2.37
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ	3	2.60
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGZHOU YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	11475
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	3599
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	4726
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	583
		2SA1837		Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
		2SA1837		Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт		656	24.65
		2SA1837		Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOS
		2SA1837		Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	ФИЛИППИНЫ
		2SA1837		Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	98.38
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERSIL
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...		685	79.55
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INFINEON	1	25.58
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	1
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	YOUTAI	7 533	18.75
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	WS
		IRFB42N20D		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB42N20D		Hexfet power mosfets discrete n-channel
		IRFB42N20D		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB42N20D		Hexfet power mosfets discrete n-channel	INFINEON
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARP	15 086	9.30
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц		32	12.95
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	КИТАЙ
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVL
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARPLCD
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	MICRONE	3 593	3.26
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVERLLIGHT
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	CHE
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	YOUTAI	57 871	3.95
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	UMW-YOUTAI
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SLKOR	19 023	2.13
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	4-7 НЕДЕЛЬ	336

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"