IR2184

Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=1.4A/1.8A, Тбл=500нс

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IR2184		244.84
IR2184 (4-7 НЕДЕЛЬ)	188	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IR2184

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Число выходов	2
Число конфигураций	1
Ток пиковое значение	1.9A
Время задержки	680ns
Тип входа	Non-Inverting
Конфигурация	Half Bridge
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IR2184 (Дискретные сигналы)

HALF-BRIDGE DRIVER

Также в этом файле: IR21844, IR21844S, IR2184S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IR2184 datasheet
184.49Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A		7 024	1.42
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	MIC	10 572	1.56
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	56
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.	44
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	MOTOROLA	53
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	OTHER	114
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	PHILIPS	70
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS SEMI	136
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ ELECTRONIC
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ	44 670	2.61
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ON SEMICONDUCTOR	22
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	18 777	3.15
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	MCC
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	28	2.40
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIR
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	BL	3 860	3.15
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	JF
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	КИТАЙ
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	KINGTRONICS
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS-FAIR
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	MASTER INSTRUMENT	52	9.45
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY ME
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	HOTTECH
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE (YJ)
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	SUNTAN	1	1.32 >100 шт. 0.66
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	JY	281	4.23
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	GEMBIRD
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	MD	397	3.15
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	ASEMI	5	2.36
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	1
1N5817	Диод Шоттки 20В, 1.0A	LGE	2 054	2.22
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт		1 160	24.24
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOS
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	ФИЛИППИНЫ
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	90.72
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERSIL
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...		691	79.55
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	ФИЛИППИНЫ
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INFINEON
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	1
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	YOUTAI	2 376	23.96
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	WS
IRFB42N20D	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB42N20D	Hexfet power mosfets discrete n-channel
IRFB42N20D	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB42N20D	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INFINEON
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARP	10 195	7.23
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц		6 028	2.62
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	КИТАЙ
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVL
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARPLCD
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	MICRONE
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVERLLIGHT
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	CHE
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	YOUTAI	49 128	2.63
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	UMW-YOUTAI
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SLKOR	13 428	2.66
PC817C	Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	4-7 НЕДЕЛЬ	73

IR2184

Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=1.4A/1.8A, Тбл=500нс

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Питание

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают: