|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8132ARM |
|
Диф.усил., высокоскор.350МГц, шум 8нВ/vГц и 1.8пА/vГц, -40..+85°С
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8132ARM |
|
Диф.усил., высокоскор.350МГц, шум 8нВ/vГц и 1.8пА/vГц, -40..+85°С
|
|
|
288.00
|
|
|
|
AD8132ARM |
|
Диф.усил., высокоскор.350МГц, шум 8нВ/vГц и 1.8пА/vГц, -40..+85°С
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8132ARM |
|
Диф.усил., высокоскор.350МГц, шум 8нВ/vГц и 1.8пА/vГц, -40..+85°С
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8132ARM |
|
Диф.усил., высокоскор.350МГц, шум 8нВ/vГц и 1.8пА/vГц, -40..+85°С
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
72
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
364 366
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
127 429
|
2.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 474
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
748 198
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
356 828
|
1.15
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.26
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 538
|
1.55
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 641 724
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
265 913
|
1.08
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
870 214
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
22 944
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
|
65 663
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
DC COMPONENTS
|
4 420
|
2.20
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
24
|
1.68
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
DIOTEC
|
23 552
|
1.83
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 230
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
18 568
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
HOTTECH
|
179 186
|
1.67
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
YJ
|
774 128
|
1.27
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
SUNTAN
|
11 231
|
1.10
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
BM
|
|
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
|
181
|
18.50
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
KLS
|
8 000
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
NXU
|
|
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
CONNFLY
|
1
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
|
13.76
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
121 924
|
4.13
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
16 449
|
7.25
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
5 746
|
2.67
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
20 646
|
2.58
|
|