Версия для печати
Технические характеристики AD823AN

Корпус	8-PDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 36 V, ±1.5 V ~ 18 V
Ток выходной / канал	17mA
Ток выходной	7mA
Напряжение входного смещения	700µV
Ток - входного смещения	5pA
Полоса пропускания -3Дб	16MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	25 V/µs
Тип выхода	Rail-to-Rail
Число каналов	2
Тип усилителя	J-FET
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		6 256	12.92
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	105	16.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	660	10.52
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	6 907	6.00
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.58
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	MOTOROLA
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	ON SEMICONDUCTOR
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	ST MICROELECTRONICS	8	58.59
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A		1	45.36
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	MOTOROLA
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	ON SEMICONDUCTOR	11
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	HTC TAEJIN	39 200	26.86
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	ONS	337	12.60
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	1
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	YOUTAI	3 795	4.26
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	4-7 НЕДЕЛЬ	529
		LM317LD		ИМС Стабилизатор НАПР.1.2-37В 1.5A	TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	YAGEO
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	ST MICROELECTRONICS	266	34.02
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	TEXAS INSTRUMENTS
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	ON SEMICONDUCTOR
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	SGS
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	UTC
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input		10	45.36
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	ON SEMICONDUCTOR
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	SGS THOMSON
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	TEXAS INSTRUMENTS
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	STMicroelectronics
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	МАЛАЙЗИЯ
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	TEXAS
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	1
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	4-7 НЕДЕЛЬ	615
		МГТФ-0,07
		МГТФ-0,07			1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"