AD823AN


2 Операционный усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 16 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 2 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,003 нА, Iвых = 16 мА, Iп = 5,2 мА, Uп = 3..36 В, -40..+85°C

Купить AD823AN по цене 453.20 руб.  (без НДС 20%)
AD823AN 2 ОУ полев.вход, вых. размах до шин питания, 16...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
AD823AN цена радиодетали 453.20 
AD823AN (4-7 НЕДЕЛЬ) 76 3-4 недели
Цена по запросу

2 ОУ полев.вход, вых. размах до шин питания, 16 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 2 мкВ/°С, 16 нВ/VГц, Iвх = 0,003 нА, Iвых = 16 мА, Iп = 5,2 мА, Uп = 3...36 В, -40...+85°C, PDIP8.
Версия для печати

Технические характеристики AD823AN

Корпус8-PDIP
Корпус (размер)8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажаВыводной
Рабочая температура-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)3 V ~ 36 V, ±1.5 V ~ 18 V
Ток выходной / канал17mA
Ток выходной7mA
Напряжение входного смещения700µV
Ток - входного смещения5pA
Полоса пропускания -3Дб16MHz
Скорость нарастания выходного напряжения25 V/µs
Тип выходаRail-to-Rail
Число каналов2
Тип усилителяJ-FET
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  24LC65-I/P EEPROM ser 2,5V 64K   MICRO CHIP 368 410.70 
  24LC65-I/P EEPROM ser 2,5V 64K     Заказ радиодеталей 239.00 
  24LC65-I/P EEPROM ser 2,5V 64K   Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
  24LC65-I/P EEPROM ser 2,5V 64K   4-7 НЕДЕЛЬ 676 цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)     Заказ радиодеталей 17.72 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS 10 569 21.34 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИНДИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   PILIPINES Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHANGJIANG Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   HOTTECH 792 10.41 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   JSCJ 10 532 8.30 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИМОРТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   NXP 560 3.42 
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   YAGEO 907 224 0.75 
>500 шт.   0.25 
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   PHYCOMP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   PHYCOMP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
  CC0805KRX7R9BB103 Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805     Заказ радиодеталей 3.28 
    RC0805FR-0712RL     YAGEO 59 141 0.85 
>1000 шт.   0.17 
    RC0805FR-0712RL     YAGEO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805FR-0712RL       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TSA6057       Заказ радиодеталей 682.44 
    TSA6057     PHILIPS 8 899.64 
    TSA6057     4-7 НЕДЕЛЬ 753 цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход