Версия для печати
Технические характеристики T491C156K016AT

Серия	T491
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Емкость	15µF
Номинальное напряжение	16V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	1.800 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Корпус (размер)	2312 (6032 Metric)
Size / Dimension	0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm)
Высота	0.110" (2.80mm)
Manufacturer Size Code	C
Возможности	General Purpose

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

Синонимы от поставщиков: T491C156K016AT ; T491C156K016AT ; конденсатор T491C156K016AT ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		GRM21BR71H224KA01L		Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В	MURATA	15 094	3.27
		GRM21BR71H224KA01L		Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В	MURATA	1 777
		GRM21BR71H224KA01L		Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В	Murata Electronics North America
		GRM21BR71H224KA01L		Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В	MUR	23 117	1.29
		GRM21BR71H224KA01L		Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В
		GRM21BR71H474KA88L		Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В	MUR	83 510	1.31
		GRM21BR71H474KA88L		Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
		GRM21BR71H474KA88L		Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В	Murata Electronics North America
		GRM21BR71H474KA88L		Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В	MURATA	86 930	8.41
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		309	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	837	27.50
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		T491A104K035AT			KEMET	3 234	14.23
		T491A104K035AT			KEMET
		T491A104K035AT
		T491A104K035AT			МЕКСИКА
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS	80	34.02
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS		8	75.60
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	STMICROELECTRONICS
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	КИТАЙ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	МАЛАЙЗИЯ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTR
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	749

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"