|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
|
16
|
79.20
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOT
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
NTE
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ISC
|
913
|
29.85
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
|
|
108.00
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NSC
|
266
|
96.90
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
11
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
Linear Technology
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ФИНЛЯНДИЯ
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
|
|
48.44
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
40
|
2 060.40
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
|
155
|
840.00
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
БРЯНСК
|
424
|
900.00
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ854А |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
122.40
|
|
|
|
КТ854А |
|
|
|
504
|
26.25
|
|
|
|
КТ854А |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|