| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Power - Max | 1W |
| Frequency - Transition | 15MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Корпус | TO-39 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
|
|
47.68
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
1.5SMC39CA |
|
|
SUNMATE
|
336
|
8.05
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
|
|
84.00
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOT
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
NTE
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ISC
|
861
|
15.97
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
|
23 422
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
DC COMPONENTS
|
24 116
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
БРЕСТ
|
5 673
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
HOTTECH
|
47 521
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SEMTECH
|
1 513
|
1.52
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
БРЕСТ
|
147
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
|
759
|
4.80
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
EIC
|
1 044
|
1.85
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
HOTTECH
|
3 586
|
1.68
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KOME
|
3 404
|
1.17
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
SUNTAN
|
6 414
|
1.16
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
RUME
|
20 000
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NSC
|
266
|
71.82
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
16
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
Linear Technology
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ФИНЛЯНДИЯ
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
|
|
48.44
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
578
|
|
|