G4 40

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BFG67		TEMIC
BFG67		NXP
BFG67
BFG67		NXP
BFG67		PHILIPS
KP-3216P3C	Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C	KB
KP-3216P3C	Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C	KINGBRIGHT	400	12.78
KP-3216P3C	Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C	KGB
KP-3216P3C	Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C			11.00
KP-3216P3C	Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C	КИТАЙ
LIS344AL	3-осевой, ±3.5g линейный датчик ускорения с аналоговым выходом	ST MICROELECTRONICS
LIS344AL	3-осевой, ±3.5g линейный датчик ускорения с аналоговым выходом			748.00
LIS344AL	3-осевой, ±3.5g линейный датчик ускорения с аналоговым выходом	STMicroelectronics
LIS344AL	3-осевой, ±3.5g линейный датчик ускорения с аналоговым выходом	МАЛЬТА
LIS344AL	3-осевой, ±3.5g линейный датчик ускорения с аналоговым выходом	4-7 НЕДЕЛЬ	756
ULN2003ADRG3	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS
ULN2003ADRG3	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS
ULN2003ADRG3	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			72.00
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ