|
|
Версия для печати
| Мощность излучения P,мВт | 15 |
| Прямое напряжение,В | 1.8 |
| при токе Iпр.,мА | 100 |
| Длина волны,нм | 850 |
| Ширина спектра излучения,нм | 40 |
| Видимый телесный угол,град | 15 |
| Максимальное время нарастания импульса,нс | 100 |
| Максимальное время спада импульса,нс | 100 |
| Максимальное обратное напряжение,В | 3 |
| Максимальный прямой ток,мА | 100 |
| Максимальный импульсный прямой ток,мА | 1500 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Рабочая температура,С | -60...70 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2Д707АС-9 |
|
Два последовательно соединенных импульсный диода |
|
|
|||
|
|
2Д707АС-9 |
|
Два последовательно соединенных импульсный диода | ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||
| G4 40 | GAINTA |
|
|
|||||
|
|
|
ULN2003ADRG3 |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADRG3 |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADRG3 |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | TEXAS |
|
|
|
|
|
АЛ102АМ |
|
красный | 800 | 3.90 | |||
|
|
АЛ102АМ |
|
красный | САРАНСК | 833 | 3.18 | ||
|
|
АЛ102АМ |
|
красный | СЗТП |
|
|
||
|
|
АЛ102АМ |
|
красный | 1142 |
|
|
||
|
|
АЛ102АМ |
|
красный | 456 |
|
|
||
| ПЭВ 25 47 ОМ 5% |
|
|