|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 29A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 55A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 140nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3700pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRL2910S | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100В, 55А, logic) | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRL2910S | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100В, 55А, logic) | 158.16 | ||||||
IRL2910S | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100В, 55А, logic) | INTERNATIONAL RECTIFIER | 9 | |||||
IRL2910S | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100В, 55А, logic) | МЕКСИКА | ||||||
IRL2910S | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100В, 55А, logic) | INFINEON | ||||||
PCA82C251T/YM | NXP | |||||||
PCA82C251T/YM | NXP | |||||||
PCA82C251T/YM | ||||||||
PCA82C251T/YM,118 | NXP Semiconductors | |||||||
PCA82C251T/YM,118 | NXP | |||||||
PCA82C251T/YM,118 | NXP | 8 355 | ||||||
PCA82C251T/YM,118 | 376 | 88.40 |
|