| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
|
|
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
DC COMPONENTS
|
5 881
|
3.75
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
|
17 605
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO
|
|
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
KEEN SIDE
|
37 060
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
|
2SC1815 |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/25V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С
|
|
|
28.00
|
|
|
|
|
ECAP 470/25V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/25V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/25V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 25 В, 105С
|
JB
|
|
|
|
|
|
|
LIS331DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства nano с цифровым выходом
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LIS331DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства nano с цифровым выходом
|
|
|
597.20
|
|
|
|
|
LIS331DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства nano с цифровым выходом
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LIS331DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства nano с цифровым выходом
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
45
|
|
|
|
|
|
LIS331DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства nano с цифровым выходом
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
154
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
|
|
422.60
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
|
|
229.48
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
620
|
|
|
Версия для печати
