GR442QR73D102KW01L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
GR442QR73D102KW01L (MURATA)	5 864	14.81
GR442QR73D102KW01L		88.00
GR442QR73D102KW01L (MUR)	16 885	8.72

Версия для печати

Технические характеристики GR442QR73D102KW01L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	GR4
Емкость	1000pF
Номинальное напряжение	2000V (2kV)
Допустимые отклонения емкости	±10%
Температурный коэфициент	X7R
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Корпус (размер)	1808 (4520 Metric)
Size / Dimension	0.177" L x 0.079" W (4.50mm x 2.00mm)
Thickness	0.059" (1.50mm)
Тип	Керамический
Tolerance	±10%

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA	96 854	2.03
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C		140	4.68
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MUR	616 971	1.05
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	Murata Electronics North America
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	ЯПОНИЯ
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA*
ILD621GB		VISHAY
ILD621GB		VISHAY	23
ILD621GB		Vishay/Semiconductors
ILD621GB
RC0603FR-0775RL		YAGEO	455 464	0.80 >1000 шт. 0.16
RC0603FR-0775RL
SN74AUP1G32DBVR		Texas Instruments
SN74AUP1G32DBVR
SN74AUP1G32DBVR		TEXAS INSTRUMENTS	1 401
SN74AUP1G32DBVR		4-7 НЕДЕЛЬ	620
TPS3808G09DBVR		TEXAS INSTRUMENTS
TPS3808G09DBVR			24
TPS3808G09DBVR		TEXAS INSTRUMENTS	13
TPS3808G09DBVR		TEXAS	440	36.59