Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | LPC13xx |
Процессор | ARM® Cortex-M3™ |
Размер ядра | 32-Bit |
Скорость | 72MHz |
Подключения | I²C, Microwire, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, WDT |
Число вводов/выводов | 40 |
Размер программируемой памяти | 32KB (32K x 8) |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер памяти | 8K x 8 |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 3.6 V |
Преобразователи данных | A/D 8x10b |
Тип осцилятора | Internal |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 48-LQFP |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847ALT1 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847ALT1 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
1.96
|
|
|
|
BC847ALT1 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4 851
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
NXP
|
47 185
|
1.68
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
PHILIPS
|
1 076
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
|
47 600
|
1.05
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
PHILIPS
|
5 248
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
NXP
|
1 797
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
DIOTEC
|
4 061
|
1.42
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
YJ
|
154 593
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC847BW |
|
SOT323
|
FULIHAO TECH
|
1 440
|
2.07
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
|
|
120.00
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
RUME
|
6 960
|
12.21
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
TRR
|
7 120
|
11.68
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
|
8
|
138.75
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
ISC
|
3 340
|
57.18
|
|
|
|
MJE13009 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz
|
VARIOUS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
3 957
|
27.75
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
14 728
|
18.60
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
128
|
|
|