UCC28C45D
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Частотный диапозон | 1MHz |
| Напряжение входное | 7.6 V ~ 20 V |
| Напряжение выходное | Up to 18V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | FAIR |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | NXP |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс |
|
8.28 | ||
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | NXP |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | PHILIPS | 41 |
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | KLS |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | KEENSIDE |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | ASEMI |
|
|
|
| SQP 5W 3.0K 5% |
|
|
||||||
| SQP 5W 3.0K 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| SQP 5W 4.7K 5% |
|
|
||||||
| SQP 5W 4.7K 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| TNY268G |
|
108.00 | ||||||
| TNY268G | PI |
|
|
|||||
| TNY268G | POWER INTEGRATIONS |
|
|
|||||
| TNY268G | POWER INTEGRATIONS | 36 |
|
|||||
| TNY268G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 327 |
|
