Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3296W-1-103LF		Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...	BOURNS	1 952	82.66
		3296W-1-103LF		Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...	CHINA
		3296W-1-103LF		Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...			142.00
		3296W-1-103LF		Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...	Bourns Inc
		3296W-1-103LF		Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...	OLITECH
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	FAIR
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс			8.28
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS	41
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KLS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KEENSIDE
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	ASEMI
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KEEN SIDE	26 582	1.76  >100 шт.   0.88
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...		44	30.24
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	ST MICROELECTRONICS
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	STMicroelectronics
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	США
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	CDIL
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	INTEGRAL
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	STMICROELECTR
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	МИНСК
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	1 145	20.63
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	HOTTECH	3 718	9.64
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	WUXI XUYANG	17	24.78
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	SUNTAN	1 482	7.06
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	KLS
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	0.00
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	LUGUANG	3 200	8.60
		UC2825DW		Микросхема ШИМ контроллер SO16	TEXAS INSTRUMENTS	552	537.26
		UC2825DW		Микросхема ШИМ контроллер SO16			400.00
		UC2825DW		Микросхема ШИМ контроллер SO16	UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS
		UC2825DW		Микросхема ШИМ контроллер SO16	UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C
		UC2825DW		Микросхема ШИМ контроллер SO16	TEXAS
		UC2825DW		Микросхема ШИМ контроллер SO16	4-7 НЕДЕЛЬ	503
		КП302БМ				1	185.00
		КП302БМ			ВИННИЦА
		КП302БМ			ПУЛЬСАР
		КП302БМ			RUS
		КП302БМ			ОКТЯБРЬ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"