| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2N7000BU |
|
Advanced small signal mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N7000BU |
|
Advanced small signal mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
2N7000BU |
|
Advanced small signal mosfet
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
2N7000BU |
|
Advanced small signal mosfet
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
DC COMPONENTS
|
3 224
|
12.31
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
|
7 748
|
3.10
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
КИТАЙ
|
8
|
24.20
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YJ
|
35 349
|
5.17
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
14
|
9.53
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
---
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KLS
|
236
|
10.79
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGJIE
|
16 520
|
3.49
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
HOTTECH
|
8 769
|
3.77
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
WUXI XUYANG
|
3
|
8.76
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
SEP
|
8
|
25.51
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KOME
|
3 224
|
4.61
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
KEEN SIDE
|
5 465
|
2.11
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB107 |
|
Диодный мост 1A, 1000V
|
RUME
|
400
|
2.37
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
20.00
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
128
|
38.23
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 738
|
|
|
|
|
|
LM324AN |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
575
|
|
|
|
|
|
MCDR1511NP-101K |
|
|
SUMIDA
|
|
|
|
|
|
|
MCDR1511NP-101K |
|
|
|
|
346.80
|
|
|
|
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm
|
BOURNS
|
3 148
|
35.94
|
|
|
|
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm
|
|
|
70.00
|
|
|
|
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
Версия для печати
