|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Power - Max | 380mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-253-4, TO-253AA |
| Корпус | SOT-143B |
|
BFG67/X (Радиочастотные биполярные транзисторы) NPN 8 GHz wideband transistors Также в этом файле: BFG67/X, BFG67/XR, BFG67/XR
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GRM188R71A105MA61D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
|||
|
|
GRM188R71A105MA61D |
|
MUR |
|
|
|||
|
|
GRM188R71A105MA61D |
|
|
|
||||
|
|
GRM188R71A105MA61D |
|
MURATA |
|
|
|||
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж | Murata Electronics North America |
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж | MUR |
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж |
|
|
||
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж | MURATA |
|
|
|
|
|
|
PVZ3A504A01R00 |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
PVZ3A504A01R00 |
|
MUR |
|
|
||
|
|
|
PVZ3A504A01R00 |
|
|
|
|||
|
|
RLB0914-330KL |
|
Индуктивность 33μH 1,7A 8,7x12mm | BOURNS |
|
|
||
|
|
RLB0914-330KL |
|
Индуктивность 33μH 1,7A 8,7x12mm |
|
42.40 | |||
|
|
RLB0914-470KL |
|
Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ... | BOURNS |
|
|
||
|
|
RLB0914-470KL |
|
Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ... |
|
75.20 | |||
|
|
RLB0914-470KL |
|
Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ... | ВОURNS |
|
|