BFG67/X
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Power - Max | 380mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-253-4, TO-253AA |
| Корпус | SOT-143B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BFG67/X (Радиочастотные биполярные транзисторы) NPN 8 GHz wideband transistors Также в этом файле: BFG67/X, BFG67/XR, BFG67/XR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
GCM1885C1H221JA16D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
GCM1885C1H221JA16D |
|
MUR |
|
|
||
|
|
|
GCM1885C1H221JA16D |
|
|
|
|||
|
|
|
GCM1885C1H221JA16D |
|
MURATA | 21 760 | 1.23 | ||
|
|
GRM1885C1H302JA01D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
|||
|
|
GRM1885C1H302JA01D |
|
|
27.60 | ||||
|
|
GRM1885C1H302JA01D |
|
MUR | 11 634 | 1.11 | |||
|
|
GRM1885C1H302JA01D |
|
MURATA | 160 000 | 7.71 | |||
 |
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж | Murata Electronics North America |
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж | MUR |
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж |
|
|
||
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж | MURATA |
|
|
|
|
|
RLB0914-330KL |
|
Индуктивность 33μH 1,7A 8,7x12mm | BOURNS | 2 652 | 23.45 | ||
|
|
RLB0914-330KL |
|
Индуктивность 33μH 1,7A 8,7x12mm |
|
42.40 | |||
 |
RLB1314-103KL |
|
Индуктивность 10000μH 0,1A 11,7x12mm | BOURNS | 1 075 | 71.73 | ||
|
|
RLB1314-103KL |
|
Индуктивность 10000μH 0,1A 11,7x12mm |
|
132.00 |
