| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1533АП3 |
|
|
|
|
2 378.88
|
|
|
|
|
1533АП3 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
10
|
2 522.00
|
|
|
|
|
1533АП3 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
|
7 458
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
ФОТОН
|
264
|
24.80
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
СЗТП
|
40
|
16.40
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
ТЕРРА
|
|
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД208А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100В, 1кГц, 1,5А
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
212
|
29.44
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
32.79
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
4 312
|
38.16
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1150
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3240
|
|
|
|
|
|
|
СР-50-272 С (ЕЭ3.640.939) |
|
|
|
|
|
|
|
|
СР50-270С |
|
|
|
|
340.00
|
|