| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
|
10 509
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
CJ
|
352
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
HOTTECH
|
2 400
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
JSMSEMI
|
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
KEEN SIDE
|
23 516
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
3000
|
|
|
|
|
|
|
SS8050 |
|
Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz
|
440
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
|
2 871
|
11.04
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
ПЛАНЕТА СИД
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
СТАРТ
|
1 904
|
51.66
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
ПЛАНЕТА-СИД
|
800
|
11.71
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307ГМ |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В
|
ПРОТОН-ОПТОЭЛ
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307ДМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные, желтый
|
|
2 995
|
3.13
|
|
|
|
|
АЛ307ДМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные, желтый
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307ДМ |
|
Диоды светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные, желтый
|
133
|
|
|
|
|
|
|
ДИОД КД522Б |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
140
|
1 171.20
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
26
|
592.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
129
|
1 473.40
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
Версия для печати
