| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
К561ЛС2 |
|
(1991г)
|
|
960
|
5.52
|
|
|
|
|
К561ЛС2 |
|
(1991г)
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛС2 |
|
(1991г)
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛС2 |
|
(1991г)
|
ВИННИЦА
|
1
|
7.44
|
|
|
|
|
К561ЛС2 |
|
(1991г)
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛС2 |
|
(1991г)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛС2 |
|
(1991г)
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛС2 |
|
(1991г)
|
БИЛЛУР
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛС2 |
|
(1991г)
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛС2 |
|
(1991г)
|
ВИНИНИЦА
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛС2 |
|
(1991г)
|
1
|
|
|
|
 |
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
|
2
|
46.08
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
|
207
|
37.20
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
61.68
|
|
|
|
 |
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
|
668
|
34.02
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
БРЯНСК
|
28
|
15.44
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
ЭЛЕКС
|
104
|
46.49
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
6969
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
|
388
|
52.08
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 907
|
33.57
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
12 412
|
29.76
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
18072
|
|
|
|
Версия для печати
