| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
MC74HC595ADR2G |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр -55/+125 C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC74HC595ADR2G |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр -55/+125 C
|
|
1 640
|
28.43
|
|
|
|
|
MC74HC595ADR2G |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр -55/+125 C
|
ONS
|
120
|
29.96
|
|
|
|
|
MC74HC595ADR2G |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр -55/+125 C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC74HC595ADR2G |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр -55/+125 C
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC74HC595ADR2G |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр -55/+125 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
304
|
|
|
|
|
|
КТ602БМ |
|
|
|
80
|
21.08
|
|
|
|
|
КТ602БМ |
|
|
БРЯНСК
|
1 748
|
33.92
|
|
|
|
|
КТ602БМ |
|
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ602БМ |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ602БМ |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
32.01
|
|
|
|
|
КТ602БМ |
|
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
378
|
4.43
|
|
|
|
|
КТ602БМ |
|
|
1900
|
|
|
|
|
|
|
КТ602БМ |
|
|
717
|
|
|
|
|
|
|
КТ602БМ |
|
|
473
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
|
531
|
27.60
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
КРЕМНИЙ
|
1 624
|
33.57
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
БРЯНСК
|
239
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
МИНСК
|
1 899
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
3580
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
702
|
|
|
|
|
|
|
КУ101Е |
|
Тиристоры кремниевые p-типа, триодные, незапираемые 150В
|
|
41
|
30.24
|
|
|
|
|
КУ101Е |
|
Тиристоры кремниевые p-типа, триодные, незапираемые 150В
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ДНЕПР
|
1 407
|
212.00
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
|
277
|
234.36
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
СЗТП
|
52
|
530.94
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САПФИР
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ПО "ДНЕПР"
|
227
|
299.63
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
20
|
|
|
|
Версия для печати
