Версия для печати
Технические характеристики QT102-ISG

Voltage Reference	Internal
Тип	Capacitive
Number of Inputs/Keys	1 Key
Touch Panel Interface	2-Wire
Корпус	SOT-23-6
Корпус (размер)	SOT-23-6
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной	600µA
Напряжение питания	2 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	Serial
Разрешение (Бит)	9, 14 b
Серия	QTouch™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

Программируемый сенсорный датчик прикосновения QTouch с триггером и таймером 2...5,5В QT102-ISG datasheet 173,25kB 18стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Контроллеры сенсорных экранов

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	FAIR
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	ITT
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	MOTOROLA
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	DC COMPONENTS	800	10.93
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	FAIRCHILD
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт			10.00
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	FAIRCHILD
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	ITT
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	MOTOROLA
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR	143
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	Fairchild Semiconductor
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	КИТАЙ
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	ONS-FAIR	136	6.14
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	ONS
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	RUME	11 160	1.58  >100 шт.   0.79
		1N4758A		Стабилитрон 56В, 1Вт	SEMTECH	2 000	1.13
		J310		Транзистор N-канальный RF 25В, 0.06A,100MHz, TO92	FAIR
		J310		Транзистор N-канальный RF 25В, 0.06A,100MHz, TO92	SILICONIX
		J310		Транзистор N-канальный RF 25В, 0.06A,100MHz, TO92			23.20
		J310		Транзистор N-канальный RF 25В, 0.06A,100MHz, TO92	FAIRCHILD
		J310		Транзистор N-канальный RF 25В, 0.06A,100MHz, TO92	FAIRCHILD
		J310		Транзистор N-канальный RF 25В, 0.06A,100MHz, TO92	OTHER
		J310		Транзистор N-канальный RF 25В, 0.06A,100MHz, TO92	SILICONIX
		J310		Транзистор N-канальный RF 25В, 0.06A,100MHz, TO92	Fairchild Semiconductor
		J310		Транзистор N-канальный RF 25В, 0.06A,100MHz, TO92	ON Semiconductor
		MF-0.25-2.2K 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0,25Вт, 2,2кОм, 1%	CHINA
		MF-0.25-2.2K 1%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0,25Вт, 2,2кОм, 1%			2.80
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ		1 384	11.34
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	П/П 1
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСК
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	RUS
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	СЗТП	8	15.62
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН	504	67.16
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	РОССИЯ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	1
		СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ ФОЛЬГИР.1.5ММ 1-СТОРОН.					700.00
		СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ ФОЛЬГИР.1.5ММ 1-СТОРОН.			УДАЛЕНО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"