| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
NXP
|
1 372
|
42.40
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
PHILIPS
|
80
|
59.34
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
TOBE
|
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
|
1 661
|
16.39
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
PHILIPS
|
130
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
WEIDA
|
125
|
18.71
|
|
|
|
|
BT137-600E |
|
Симистор 600V, 8A, Igt=10mA, 2мкс
|
1682
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 4700/35V 1835 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4700 мкФ 35 В
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 4700/35V 1835 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4700 мкФ 35 В
|
JAM
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.25 5.62K 1% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
24 517
|
10.00
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
9 594
|
16.53
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
128
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
1013
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
264
|
1
|
10.39
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
|
1 916
|
11.34
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
СЗТП
|
26
|
15.62
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
488
|
67.16
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
1
|
1
|
|
|
Версия для печати
